LGG2E471MELA30
![](/img-new/pdf.png)
LGG2E471MELA30 datasheet
-
МаркировкаLGG2E471MELA30
-
ПроизводительNichicon corporation
-
ОписаниеNichicon corporation LGG2E471MELA30 Capacitance: 470?µF Diameter: 25 mm Esr (equivalent Series Resistance): - Features: General Purpose Height: 1.260" (32.00mm) Lead Spacing: 0.394" (10.00mm) Leakage Current: 1.02 mAmps Length: 30 mm Lifetime @ Temp.: 2000 Hrs @ 105?°C Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40?°C ~ 105?°C Operating Temperature Range: - 40 C to + 105 C Package / Case: Radial, Can - Snap-In Product: Aluminum Electrolytic Capacitors Ripple Current: 1.3A Series: GG Size / Dimension: 0.984" Dia (25.00mm) Surface Mount Land Size: - Termination Style: Snap In Tolerance: ?±20% Voltage Rating: 250V
-
Количество страниц3 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>Компания Alif Semiconductor представила Ensemble E1C, новую серию микроконтроллеров (MCU) в семействе Ensemble, предназначенную для сочетания надежных цифровых и аналоговых функций с маломощным блоком нейронной обработки (NPU) в компактном корпусе.</p> <p>Компания Alif Semiconductor представила Ensemble E1C, новую серию микроконтроллеров (MCU) в семействе Ensemble, предназначенную для сочетания надежных цифровых и аналоговых функций с маломощным блоком нейронной обработки (NPU) в компактном корпусе.</p>](/images/cache/784e57b3399cc0696f685b3883cd210e.jpg)
24.08.2024
![<p>В условиях роста высокопроизводительных вычислений, вызванного широким внедрением искусственного интеллекта (ИИ) в различные вычислительные системы, центры обработки данных и пограничные устройства, растет спрос на энергоэффективные компоненты.</p> <p>В условиях роста высокопроизводительных вычислений, вызванного широким внедрением искусственного интеллекта (ИИ) в различные вычислительные системы, центры обработки данных и пограничные устройства, растет спрос на энергоэффективные компоненты.</p>](/images/cache/8b5f1c13ce9fd0617a2a53e7394dc0f0.jpg)
23.08.2024
![<p>Компания Cambridge GaN Devices (CGD) представила два новых корпуса для серии ICeGaN силовых ИС на основе нитрида галлия (GaN), разработанных для улучшения тепловых характеристик и упрощения процессов проверки. Эти корпуса, являющиеся разновидностями надежных корпусов типа DFN, отличаются повышенной прочностью и надежностью.</p> <p>Компания Cambridge GaN Devices (CGD) представила два новых корпуса для серии ICeGaN силовых ИС на основе нитрида галлия (GaN), разработанных для улучшения тепловых характеристик и упрощения процессов проверки. Эти корпуса, являющиеся разновидностями надежных корпусов типа DFN, отличаются повышенной прочностью и надежностью.</p>](/images/cache/8a2cc64274023d12d1e64370f9be6525.jpg)
22.08.2024